Fujifilm mit seiner Technologie einer organischen fotoelektrischen Wandlerschicht und Panasonic mit seiner Halbleiterbauelemente-Technologie entwickeln gemeinsam einen organischen CMOS-Bildsensor. In dem neuen Sensor übernimmt eine nur noch 0,5 µm dünne lichtempfindliche Schicht aus organischem Material mit hohem Lichtabsorbtionsvermögen die Rolle der etwa 3 µm tiefen Siliziumdioden in konventionellen Sensoren. Im Vergleich zu diesen hat die neue organische fotoelektronische Schicht mit 0,5 µ nur noch 1/6 der Dicke.

Das neue lichtempfindliche Material und der durch die Anordnung als dünne Schicht mögliche veränderte Sensoraufbau erlauben eine Konstruktion mit 100-prozentiger Lichtausbeute auf der Sensorfläche und einem größeren Lichteinfallswinkel von 60° statt üblicherweise 30° bis 40°. Das gibt den Kamera- und Objektivkonstrukteuren größere Freiheiten.

Verbesserte Bildqualität

Zugleich soll der neue Sensortyp herkömmliche Bildsensoren in der Bildqualität übertreffen. Die Pressemeldung spricht von einer Dynamik von 88dB (entsprechend einem Kontrast von ca. 13 Blendenstufen) und rund 20 Prozent höherer Empfindlichkeit im Vergleich zu anderen Panasonic-Sensoren. Das bringt bessere Detailzeichnung und Farbwiedergabe in Lichter- und Schattenbereichen.

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Panasonic und Fujifilm sehen zahlreiche Anwendungsmöglichkeiten für organische CMOS-Sensoren nicht nur in Digitalkameras und mobilen Geräten wie Smartphones und Tablet-PCs, sondern auch etwa in Überwachungs- oder Fahrzeugkameras. Dabei sind sie nicht die einzigen, die auf diesem Gebiet neue Technologien erforschen. Erst letzte Woche hatte die Nanyang Technological University in Singapur ihren Durchbruch bei der Entwicklung von neuartigen Graphen-Bildsensoren bekanntgegeben.